Японский производитель динамической памяти (DRAM), компания Elpida
Memory сегодня начала поставки опытных образцов 4-Гб модулей оперативной
памяти DDR3 SO-DIMM, которые используют 2-Гбит микросхемы памяти,
изготовленные по 30нм технологическому процессу. Благодаря столь тонкому
производственному процессу 2Gb чипы работают на частоте 1866 МГц, и
требуют на 20% меньше энергии в рабочем режиме и 30% меньше в режиме
ожидания, по сравнению с 40-нм DRAM памятью от Elpida. Также по
сравнению с 40-нм техпроцессом, переход на 30-нм стандарт позволил
увеличить количество получаемых с одной полупроводниковой пластины чипов
(на 45% больше), таким образом, снизив итоговую их себестоимость.
Elpida планирует начать массовое производство 30нм модулей 4 ГБ SO-DIMM уже в первом квартале 2011 года.
