Японский производитель динамической памяти (DRAM), компания Elpida Memory сегодня начала поставки опытных образцов 4-Гб модулей оперативной памяти DDR3 SO-DIMM, которые используют 2-Гбит микросхемы памяти, изготовленные по 30нм технологическому процессу. Благодаря столь тонкому производственному процессу 2Gb чипы работают на частоте 1866 МГц, и требуют на 20% меньше энергии в рабочем режиме и 30% меньше в режиме ожидания, по сравнению с 40-нм DRAM памятью от Elpida. Также по сравнению с 40-нм техпроцессом, переход на 30-нм стандарт позволил увеличить количество получаемых с одной полупроводниковой пластины чипов (на 45% больше), таким образом, снизив итоговую их себестоимость.

Elpida планирует начать массовое производство 30нм модулей 4 ГБ SO-DIMM уже в первом квартале 2011 года.

Дата публикации: 2010-12-22
Автор статьи: turrix
Источник: www.hwp.ru (Оригинал: Перейти)